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一种高导热氮化硅陶瓷材料及其制备方法

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本发明涉及一种高导热氮化硅陶瓷材料及其制备方法，所述氮化硅陶瓷材料的原料组成包括α‑Si3N4和烧结助剂；所述烧结助剂为稀土金属氧化物和金属镁；所述稀土金属氧化物为Y2O3、Yb2O3、Gd2O3、Ce2O3、Sm2O3、La2O3、Tm2O3、Lu2O3、Nd2O3、Er2O3和Sc2O3中的至少一种，所述金属镁为单质Mg。

著录项

公开/公告号CN112159237A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地;
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申请/专利号CN202011043063.7
发明设计人曾宇平;王为得;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟;梁汉琴;
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申请日2020-09-28
分类号C04B35/593(20060101);C04B35/622(20060101);
代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);
代理人曹芳玲;郑优丽
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
入库时间 2023-06-19 09:24:30

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-08-23

专利权的转移 IPC(主分类):C04B35/593 专利号:ZL2020110430637 登记生效日:20220810 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更后权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号变更后权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号变更事项:专利权人变更前权利人:上海硅酸盐研究所中试基地变更后权利人:

专利申请权、专利权的转移

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