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氧化铝的保护液、保护方法和使用了其的具有氧化铝层的半导体基板的制造方法

摘要

本发明涉及氧化铝保护液、氧化铝的保护方法和使用了其的具有氧化铝层的半导体基板的制造方法。本发明的氧化铝保护液的特征在于,其含有0.0001~20质量%的碱土金属化合物,前述碱土金属为选自由铍、镁、锶和钡组成的组中的1种以上。通过本发明,在半导体电路的制造工序中,能够抑制氧化铝的腐蚀。

著录项

  • 公开/公告号CN111699547A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱瓦斯化学株式会社;

    申请/专利号CN201980012078.6

  • 申请日2019-02-27

  • 分类号H01L21/316(20060101);

  • 代理机构11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘新宇;李茂家

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 08:20:46

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