一种基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法，其中，所述基于硒化亚锡/硒化铟异质结的光电探测器包括设置在衬底上的p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜，所述p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜之间设置有部分重叠区域，所述部分重叠区域通过范德华相互作用形成光电异质结，所述p型硒化亚锡薄膜和n型硒化铟薄膜不重叠的两端分别固定有一金属电极。本发明通过构建pn异质结，使p型硒化亚锡薄膜与n型硒化铟薄膜在光照条件下产生的电子与空穴在异质结处迅速分离，能够有效降低暗电流，明显提高所制备的光电探测器的光增益、光响应速度及光响应度。