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薄硅基板上的应力控制

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摘要

用于薄硅(Si)片基半导体材料中应力控制的方法。通过工艺参数(例如，温度、反应物供应、时间)的特定相互关系，在Si基板上形成非常均匀的成核层，其减轻和/或更好地控制在薄Si基板上形成的随后层中的应力(拉伸和压缩)。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-04-24

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20180608 申请日:20161128

发明专利申请公布后的驳回
2019-01-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20161128

实质审查的生效
2018-06-08

公开

公开

1. 薄硅基板上的应力控制 [P] . 中国专利： CN108140548A . 2018-06-08
2. “绝缘体上硅”(SOI)型衬底的活性硅层的薄化方法 [P] . 中国专利： CN104160475A . 2014-11-19
3. Stress control on thin silicon substrates [P] . 韩国专利： KR20180080207A . 2018-07-11

机译：薄硅基板上的应力控制
4. Stress control on thin silicon substrates [P] . 美国专利： US9806183B2 . 2017-10-31

机译：薄硅基板上的应力控制
5. Thin monocrystalline or polycrystalline semiconductor substrate e.g. silicon on insulator substrate, manufacturing device for e.g. MOSFET, has roller exerting tension on stiffener and thin sheets to ensure separation of thin sheet [P] . 法国专利： FR2906077A1 . 2008-03-21

机译：薄的单晶或多晶半导体衬底例如绝缘体基板上的硅，例如MOSFET，具有在加劲肋和薄板上施加张力的辊，以确保薄板分离