一种超电容用金属离子掺杂花状MnO2纳米片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种超电容用金属离子掺杂花状MnO2纳米片及其制备方法，采用化学沉淀的方法通过掺杂金属离子引导制备纳米片自组装花状的MnO2，其片层厚度为3～5nm；制备过程为：将浓度比为1：1的硫酸锰和过硫酸铵混合水溶液置于超声恒温水浴环境中，同时向混合溶液中匀速滴加浓度为0.001～0.2mol/L的金属盐溶液，随后继续反应0.5～3h。该方法制备流程简单、成本低廉，获得纳米片层自组装而成的花状形貌显著增大电极材料比表面积，同时有利于电解质离子在电极材料体相中的扩散，使其具有优异的电化学性能。扫描速率50mV/s时，测得比电容值可达303.6F/g，阻抗为4.2Ω。