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一种低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法

摘要

一种低电阻率ZnO晶粒的低残压压敏电阻的制备方法,其特征在于,制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝晶体Al(NO3)3·9H2O、硝酸镓Ga(NO3)3·9H2O,制备步骤包括籽晶粗制步骤、初次烧结步骤、籽晶精致步骤、原料混合步骤、二次烧结步骤。其有益效果是:本发明通过严格改变烧制工艺流程和控制工艺参数,可以人为地控制该材料在制备过程中的结构成分和结构变化,在降低晶粒电阻率和降低ZnO压敏电阻残压的同时,又抑制了泄漏电流的增长和非线性系数的下降。从而使该材料具有更高的性能和更适于工业应用。

著录项

  • 公开/公告号CN105837201A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201610211309.4

  • 发明设计人 何金良;胡军;孟鹏飞;

    申请日2016-04-06

  • 分类号C04B35/453(20060101);C04B35/64(20060101);

  • 代理机构重庆百润洪知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘立春

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园

  • 入库时间 2023-06-19 00:13:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-01

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C04B35/453 申请公布日:20160810 申请日:20160406

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-07-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/453 申请日:20160406

    实质审查的生效

  • 2016-08-10

    公开

    公开

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