形成存储器单元阵列的方法、形成多个场效应晶体管的方法、形成源极/漏极区域及隔离沟槽的方法及在衬底中形成一系列间隔沟槽的方法

摘要

本发明涉及一种在衬底中形成一系列间隔沟槽的方法，所述方法包括在衬底上方形成多个间隔线。在所述间隔线的相对侧上形成各向异性蚀刻的侧壁间隔件。所述线中的个别线的最大宽度大于所述线中的紧密邻近线之间的所述间隔件中的紧密邻近间隔件之间的间隔的最小宽度。移除所述间隔线以在所述间隔件之间形成一系列交替的第一及第二掩模开口。所述第一掩模开口位于所述间隔线先前所在之处且比所述第二掩模开口宽。分别经由所述交替的第一及第二掩模开口在所述衬底中同时蚀刻交替的第一及第二沟槽，以将所述第一沟槽形成为在所述衬底内比所述第二沟槽宽且深。本发明还揭示其它实施方案及实施例。