在InP衬底上制备高K栅介质薄膜和MIS电容的方法

摘要

本发明提供一种在InP衬底上制备高k栅介质薄膜和MIS电容的方法，该方法工艺简单，在利用PEALD工艺沉积高k栅介质薄膜之前通过等离子体原位处理对InP衬底进行钝化，改善了高k栅介质与InP衬底之间的界面特性，降低了费米能级钉扎效应的影响，并且在高k栅介质薄膜形成后利用氧等离子体原位后处理提高了高k薄膜的致密度和薄膜质量。同时，本发明在InP衬底上制备稳定的性质优良的高k栅介质薄膜基础上，并成功制作MIS电容结构，为后面验证高k栅介质薄膜的电学性能提供了基础。