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用于片内终结的终结电路

摘要

在具有连接到内部区的端子的半导体装置中,用于为该装置的端子提供片内终结的终结电路。该终结电路包括连接在端子和电源之间的多个晶体管,所述多个晶体管包括至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管;和控制电路,该控制电路用于以相应的NMOS栅极电压驱动每个NMOS晶体管的栅极以及用于以相应的PMOS栅极电压驱动每个PMOS晶体管的栅极,该控制电路被配置为控制NMOS栅极电压和PMOS栅极电压以便在启用片内终结时将所述晶体管置于欧姆操作区。所述电源供应电压,该电压小于每一个所述的NMOS栅极电压而大于每个所述的PMOS栅极电压。

著录项

  • 公开/公告号CN102396156A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-03-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 莫塞德技术公司;

    申请/专利号CN201080016363.4

  • 发明设计人 P·B·吉灵厄姆;

    申请日2010-01-11

  • 分类号H03H11/46(20060101);G11C5/06(20060101);H01L23/50(20060101);

  • 代理机构11280 北京泛华伟业知识产权代理有限公司;

  • 代理人王勇

  • 地址 加拿大安大略省

  • 入库时间 2023-12-18 04:42:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-06

    专利权的视为放弃 IPC(主分类):H03H11/46 放弃生效日:20160406 申请日:20100111

    专利权的视为放弃

  • 2014-10-29

    著录事项变更 IPC(主分类):H03H11/46 变更前: 变更后: 申请日:20100111

    著录事项变更

  • 2012-05-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03H11/46 申请日:20100111

    实质审查的生效

  • 2012-03-28

    公开

    公开

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