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太阳能电池上的抗反射覆层以及用于制造这种抗反射覆层的方法

摘要

本发明涉及一种在由晶体硅制成的太阳能电池上的抗反射覆层,以及一种用于制造这种抗反射覆层的方法。通过本发明能够实现在由晶体硅制成的太阳能电池上的抗反射覆层,所述抗反射覆层既实现了优化的光学特性设计又实现了优化的钝化特性设计,并且其制造能够简单又经济地整合到非常薄的晶体硅太阳能电池的制造过程中。这是如此实现的,即所述抗反射覆层由彼此相继的部分层组成,在这些部分层中,覆盖晶体硅(S)的下部分层(S1)被构造为抗反射覆层和具有特别高的氢含量的钝化部,该下部分层(S1)被上部分层(S2)覆盖,所述上部分层(S2)具有防止氢向外扩散的、被提高了的栅栏效应。

著录项

  • 公开/公告号CN101305471A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-11-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 森托塞姆光伏股份有限公司;

    申请/专利号CN200680040988.8

  • 申请日2006-11-02

  • 分类号H01L31/0216;

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人郑立

  • 地址 德国布劳博伊伦

  • 入库时间 2023-12-17 21:02:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L31/0216 授权公告日:20100908 终止日期:20121102 申请日:20061102

    专利权的终止

  • 2010-09-08

    授权

    授权

  • 2009-01-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-11-12

    公开

    公开

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