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低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法

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一种低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法，包含下述步骤：利用MOCVD方法，在高的生长温度下，在衬底上生长缓冲层；将反应室温度降低至低的生长温度；以及减小通入反应室的反应源V/III比，保持掺杂源流量以及其它生长条件不变，生长n型掺杂的化合物半导体。

著录项

公开/公告号CN1691285A

专利类型发明专利
公开/公告日2005-11-02

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN200410035033.6
发明设计人江李;林涛;韦欣;王国宏;马骁宇;
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申请日2004-04-20
分类号H01L21/205;H01L21/22;H01L21/331;H01L31/18;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-17 16:38:09

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-06-17

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-07-04

授权

授权
2005-12-28

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-11-02

公开

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