首页> 中国专利> 带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构

带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构

摘要

一种带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构,其中包括:一衬底;一铝镓砷层,该铝镓砷层制作在衬底上;一铝镓铟砷有源层,该铝镓铟砷铝镓铟砷有源层制作在铝镓砷上;一铝铟砷层,该铝铟砷铝铟砷层制作在铝镓铟砷有源层上;一铟磷层,该铟磷层制作在铝铟砷层上,该铟磷层的面积小于铝铟砷层的面积;一铟镓砷层,该铟镓砷层制作在铟磷层上;该铟磷层和铟镓砷层形成一脊型区域;一层介质膜,该层介质膜制作在脊型区域的两侧及铝铟砷层上;一层P面电极,该P面电极制作在脊型区域的上面及介质膜上;一N面电极,该N面电极制作在衬底的下面。

著录项

  • 公开/公告号CN1681176A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-10-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200410032559.9

  • 申请日2004-04-09

  • 分类号H01S5/22;H01S5/30;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-17 16:33:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2007-09-19

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2005-12-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-10-12

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号