公开/公告号CN1454835A
专利类型发明专利
公开/公告日2003-11-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十三研究所;
申请/专利号CN03112137.3
申请日2003-04-11
分类号B81C1/00;
代理机构石家庄冀科专利事务所有限公司;
代理人高锡明
地址 050051 河北省石家庄市合作路113号38分箱
入库时间 2023-12-17 15:01:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-04-05
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2003-11-12
公开
公开
机译: 用于高频器件的绝缘体上硅衬底的生产涉及在单晶硅组件层上形成的单晶硅锗层上形成表面氧化的单晶硅层
机译: 单晶碳化硅衬底的表面重整方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,离子注入和退火方法,以及单晶碳化硅衬底和单晶硅碳化硅衬底
机译: 单晶碳化硅衬底的制造方法,单晶碳化硅衬底,检查单晶碳化硅衬底的方法