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一种CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料及其制备与应用

摘要

本发明涉及一种CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料及其制备方法与应用,所述制备方法具体包括以下步骤:(a)将预处理过的铜材浸泡在NaOH和(NH4)2S2O8的混合液中,在铜材上生长Cu(OH)2纳米线阵列;(b)将步骤(a)得到的生长有Cu(OH)2纳米线阵列的铜材浸入Na2S溶液中进行硫化,后取出洗涤干燥,再进行热处理,得到CuS/CuO/Cu异质结阵列材料。所述纳米线异质结阵列材料以铜材为基底材料,在铜材上自下而上依次生长有CuO和CuS。与现有技术相比,本发明实现了在金属Cu网上CuS/CuO纳米线异质结阵列的制备,并定量可控地将Cu(OH)2转变为CuS,得到的CuS/CuO/Cu纳米线异质结阵列材料具有优异的光催化活性,可以应用于光催化降解过程,环境污染治理等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN111545220A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海工程技术大学;

    申请/专利号CN202010257931.5

  • 申请日2020-04-03

  • 分类号B01J27/04(20060101);B01J37/20(20060101);B01J37/08(20060101);A62D3/17(20070101);A62D101/28(20070101);A62D101/26(20070101);A62D101/22(20070101);

  • 代理机构31225 上海科盛知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴文滨

  • 地址 201620 上海市松江区龙腾路333号

  • 入库时间 2023-12-17 10:41:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-18

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