首页> 中国专利> 用于离轴移动的MEMS传感器补偿

用于离轴移动的MEMS传感器补偿

摘要

微机电系统(MEMS)传感器包括MEMS层,该MEMS层包括固定电极和可移动电极。响应于平面内线性加速度,可移动电极相对于固定电极移动,并且加速度基于所得的电容的变化来确定。多个辅助电极位于MEMS传感器的基板上并且在MEMS层下方,使得MEMS层和辅助负载之间的电容响应于MEMS层或其一部分的平面外移动而变化。MEMS传感器基于由辅助电极感测到的电容来补偿加速度值。

著录项

  • 公开/公告号CN111344575A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应美盛股份有限公司;

    申请/专利号CN201880073371.9

  • 发明设计人 I·古尔因;J·塞格尔;M·汤普森;

    申请日2018-10-16

  • 分类号G01P21/00(20060101);G01P15/13(20060101);G01P15/125(20060101);G01P15/08(20060101);B81B5/00(20060101);G01C19/5719(20060101);

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人张丹

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2023-12-17 10:16:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-26

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号