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一种不耐氧二维薄层材料精确制作微电极的方法

摘要

本发明公开了一种不耐氧二维薄层材料的微电极精确制作方法,在手套箱中将不耐氧的二维薄层材料转移至做好的电极上,过程中无任何暴露氧气的步骤,全在手套箱中进行;本发明中还将保护材料硼氮精确转移至二维薄层材料的表面,即使将二维薄层材料电极器件拿出手套箱,二维薄层材料也受到了良好的保护,便于材料本征性质的研究。

著录项

  • 公开/公告号CN110767377A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京理工大学;

    申请/专利号CN201910978521.7

  • 发明设计人 熊小路;段俊熙;韩俊峰;姚裕贵;

    申请日2019-10-15

  • 分类号H01B13/00(20060101);B81C3/00(20060101);

  • 代理机构11120 北京理工大学专利中心;

  • 代理人李微微

  • 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

  • 入库时间 2023-12-17 07:00:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B13/00 申请日:20191015

    实质审查的生效

  • 2020-02-07

    公开

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