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一种蒸镀用硅预熔方法

摘要

一种蒸镀用硅预熔方法,包括如下步骤:a)将坩埚表面进行打磨,打磨后用去离子水进行冲洗,冲洗后用无水乙醇清洗;b)将坩埚用氮气吹干;c)初熔操作;d)复熔操作;e)终熔操作。初熔、复熔以及终熔步骤中每次只添加三分之一的单晶硅,可以确保每次熔化时均匀受热,每次熔化时都是二次升温二次降温的过程,有效减少单晶硅蒸发过程中的崩硅问题,从而提高成品率,复熔时比初熔的电子束扫描面积增加,同时复熔时升温过程中电子束功率也比初熔时升温过程中电子束功率增加,可以确保单位质量的单晶硅块的热量一致,终熔升温过程中电子束功率比复熔时电子束功率增加,其目的也是确保单位质量的单晶硅块的热量一致。

著录项

  • 公开/公告号CN110551977A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 潍坊华光光电子有限公司;

    申请/专利号CN201810562623.6

  • 申请日2018-06-04

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 261061 山东省潍坊市高新区新城街道玉清社区金马路9号管芯净化厂房

  • 入库时间 2024-02-19 15:21:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/24 申请日:20180604

    实质审查的生效

  • 2019-12-10

    公开

    公开

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