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一种基于磁热耦合的永磁耦合器温度场分析方法

摘要

本发明一种基于磁热耦合永磁耦合器温度场分析方法属于永磁传动技术领域,涉及一种永磁耦合器温度场分析方法。该方法基于永磁耦合器内部磁场‑温度场双场作用特点,首先通过建立导体盘安装盘、导体盘、永磁体盘、永磁体及永磁体安装盘的永磁耦合器电磁场模型,分析得到永磁耦合器各部件磁场分布及涡流损耗,再结合热传导理论,将电磁场分析结果作为热源导入温度场分析,根据温度场分析结果调整永磁体材料参数往复迭代计算,最终得到磁场及温度场分析结果。该方法是一种具有工程实际应用价值的方法,方法简单便于操作,计算精度高。

著录项

  • 公开/公告号CN110427664A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201910648191.5

  • 申请日2019-07-18

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构21200 大连理工大学专利中心;

  • 代理人关慧贞

  • 地址 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

  • 入库时间 2024-02-19 15:02:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20190718

    实质审查的生效

  • 2019-11-08

    公开

    公开

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