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用于使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片的方法和系统

摘要

一种使用无掩模光刻曝光系统诸如带电粒子多束波光刻系统(301A‑301D)创建电子器件诸如半导体芯片的方法。无掩模光刻曝光系统包括光刻子系统(316),光刻子系统包括无掩模图案写入器诸如带电粒子多束波光刻机(1)或电子束机器。方法包括在将图案数据以流传送至无掩模图案写入器之前将独特芯片设计数据(430)或与独特芯片设计数据相关的信息引入至包括共用芯片设计数据的图案数据中。

著录项

  • 公开/公告号CN109923478A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML荷兰有限公司;

    申请/专利号CN201780068886.5

  • 发明设计人 M·N·J·范科尔维克;V·S·凯伯;

    申请日2017-09-08

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华;董典红

  • 地址 荷兰维德霍温

  • 入库时间 2024-02-19 12:18:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20170908

    实质审查的生效

  • 2019-06-21

    公开

    公开

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