法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-02
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/04 申请日:20181127
实质审查的生效
2019-07-09
公开
公开
机译: 平板电子X射线成像仪中的光电二极管和其他传感器结构,以及基于薄膜电子的改善平板X射线成像仪中光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法
机译: -平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构以及基于薄膜电子的改进平板X射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法
机译: 平板型x射线成像仪中的光电二极管和其他传感器结构以及基于薄膜电子设备的改进平板x射线成像仪中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法