一种氧化钼薄膜制备方法及以氧化钼薄膜作为空穴传输层的硅异质结太阳电池

摘要

本发明涉及一种氧化钼薄膜制备方法及以该方法制备的氧化钼薄膜作为空穴传输层的晶硅异质结太阳电池，属于半导体薄膜制备和光伏技术领域。本专利所述的氧化钼薄膜制备方法为真空热丝氧化升华沉积法，该工艺具有原材料选取简单，消耗量少，无需衬底加热，工艺参数可控性高，薄膜纯度高等优点；本专利所述方法制备的氧化钼薄膜材料具有：材料分布均匀，表面光滑，光透率较高的特点。以本发明提供的以真空热丝氧化升华沉积法制备的氧化钼薄膜作为空穴选择层的新型硅异质结太阳电池的光电转化效率＞20％。