包括第一和第二场截止区部分的绝缘栅双极型晶体管和制造方法

摘要

本发明涉及包括第一和第二场截止区部分的绝缘栅双极型晶体管和制造方法。实施例涉及一种在半导体主体中制造绝缘栅双极型晶体管的方法。在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场截止区部分。在所述第一场截止区部分上形成所述第一导电类型的第二场截止区部分。在所述第二场截止区部分上形成所述第一导电类型的漂移区。在完成所述绝缘栅双极型晶体管时，沿所述半导体主体的厚度的多于30%的垂直延伸，所述漂移区中的掺杂浓度小于1013 cm‑3。