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硫钴镍包覆的镍钴合金纳米片阵列的制备方法

摘要

本发明涉及超级电容器技术领域。特指硫钴镍包覆的镍钴合金纳米片阵列的制备方法。本发明采用碳布为基底,来生长Co基的金属有机骨架化合物作为前驱体,通过水热方法生成空心的镍钴双金属层状氢氧化物纳米片阵列,再通过煅烧的方法将镍钴双金属层状氢氧化物转化为镍钴合金阵列,最后进行水热硫化形成了碳布上原位生长的硫钴镍包覆的镍钴合金纳米片阵列。

著录项

  • 公开/公告号CN109585182A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏大学;

    申请/专利号CN201811236584.7

  • 发明设计人 施伟东;杨庆军;

    申请日2018-10-23

  • 分类号H01G11/86(20130101);H01G11/24(20130101);H01G11/46(20130101);H01G11/40(20130101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

  • 入库时间 2024-02-19 09:35:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G11/86 申请日:20181023

    实质审查的生效

  • 2019-04-05

    公开

    公开

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