隧穿场效应晶体管器件制造方法及隧穿场效应晶体管器件

摘要

一种TFET器件制造方法及TFET器件，属于晶体管制造技术领域。该方法包括：在硅基材(21)上方形成主轴图案，主轴图案的材质为多晶硅(23)；形成围绕主轴图案的侧壁(251)；采用自对准工艺在硅基材(21)的第一区域形成第一电极，第一区域指未覆盖主轴图案和侧壁(251)的区域，第一电极为源极(91)或漏极(92)；采用自对准工艺在硅基材(21)的第二区域形成第二电极，第二区域指主轴图案对应的区域，第二电极为源极(91)或漏极(92)，且第二电极与所述第一电极不同；在侧壁(251)对应的区域形成栅极(93)。其实现了制造精准尺寸的TFET器件，并在增加TFET器件开态电流的同时，减小其漏电电流。