法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-26
授权
授权
2019-01-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0304 申请日:20180820
实质审查的生效
2019-01-04
公开
公开
技术领域
本发明涉及紫外探测器,具体指一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制备方法。
背景技术
目前,AlGaN基半导体光电探测器由于具有能带结构为直接禁带,量子效率高,截止波长锐利的优点,而且可以在材料生长时通过掺Al元素来调节响应波段,当Al组份大于0.45时能够实现只对日盲紫外波段响应,在紫外探测领域越来越受到人们重视。AlGaN基雪崩光电二极管探测器(Avalanche Photodiodes,APD)是AlGaN基半导体光电探测器的一种,相比较其它类型探测器,具有响应速度快,具有内增益,可以制作成面阵器件的优点,因此非常适合应用于微弱紫外探测领域,近年来逐渐成为紫外探测器领域的研究热点。
但是,目前AlGaN基雪崩光电二极管面临着雪崩过剩噪声过大的问题,导致器件的信噪比难以提高,严重制约了它的实际应用。根据雪崩过剩噪声理论,器件的过剩噪声与材料中载流子的碰撞离化系数比密切相关,只有碰撞离化系数高的载流子雪崩占据主导地位时,器件的噪声才会最小。基于上述思想,本专利设计了一种新型的具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管。
以上涉及的参考文献如下:
[1]McClintock R,Yasan A,Minder K,et al.Avalanche multiplication inAlGaN based solar-blind photodetectors[J].Applied physics letters,2005,87(24):241123.
[2]Mcintyre R J.Multiplication noise in uniform avalanche diodes[J].IEEE Transactions of Electron Devices,1966,13(1):164-168.
[3]Enrico Bellotti,Francesco Bertazzi,Sara Shishehchi,MasahikoMatsubara,and Michele Goano,Theory of Carriers Transport in III-NitrideMaterials:State of the Art and Future Outlook[J].IEEE Transactions ofElectron Devices,2013,60(10):3204-3215.
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管及制作方法,该器件采用正照射的工作方式,载流子在低电场区域产生,然后电子漂移进入高电场的雪崩倍增区,该区域采用电子碰撞离化系数远高于空穴的AlN材料,使器件的雪崩过剩噪声降至最小。
本发明一种具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管结构如图1所示,其特征在于,器件结构包括:
一蓝宝石衬底1,衬底厚度在0.3-0.6mm之间;
一缓冲层2,为AlN材料,厚度500nm;
一非故意掺杂Al0.45Ga0.55N层3,厚度在1μm左右;
一n型Al0.45Ga0.55N层4,厚度0.6-1μm,电子浓度5-8×1017cm-3;
一n型欧姆接触电极5,制作在n Al0.45Ga0.55N上,金属膜系为Ti/Al/Au,厚度为50nm/50nm/40nm;
一倍增区非故意掺杂AlN层6,材料类型为本征型,载流子浓度小于1×1016cm-3,厚度200-250nm;
一p型Al0.45Ga0.55N层7,厚度100-120nm,空穴浓度6-8×1017cm-3;
一吸收区弱p型Al0.45Ga0.55N层8,材料类型为弱p型,载流子浓度小于5×1016cm-3,厚度200nm;
一吸收区p型Al0.45Ga0.55N层9,厚度150-200nm,空穴浓度2-5×1017cm-3;
一p型GaN帽层10,厚度100nm,本层为制作欧姆接触的重掺杂层,空穴浓度大于1×1018cm-3;
一钝化层11,本层为SiO2,厚度250-300nm;
一p型欧姆接触电极12,制作在p GaN帽层上,金属膜系为Ni/Au,厚度为30nm/30nm;
其中倍增区非故意掺杂AlN层6为雪崩倍增区,是影响整个雪崩光电二极管性能的关键区域,要求此处的AlN材料质量要比较高;
其中8和9形成低电场区域的吸收区,光线在本区域产生电子空穴对,电子在电场作用下漂移向下层的雪崩区,空穴漂移向p电极;
其中p型GaN帽层10为重掺杂,目的是作为欧姆接触层,降低p电极的比接触电阻;但是该区域会对波长较长的紫外光线响应,会降低雪崩光电二极管的紫外抑制比,因此须将p电极外暴露的p GaN层刻蚀掉,只保留20-30nm;
其中钝化层11为SiO2,采用磁控溅射法制备,厚度300-400nm,同时该层作为减反射层。
所说的具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管的制作工艺包括如下步骤:
步骤一:按照图1结构利用MOCVD方法生长AlGaN材料外延片;
步骤二:外延片清洗;
步骤三:在p型GaN帽层10表面制作p型欧姆接触电极;
步骤四:刻蚀p GaN帽层;
步骤五:第二次刻蚀,将材料刻蚀至n型Al0.45Ga0.55N层4;
步骤六:在n型Al0.45Ga0.55N层4上制备n型欧姆接触电极;
步骤七:生长钝化层SiO2,并在p电极与n电极处开孔。
本发明的最大优点是设计一种新颖的AlGaN雪崩光电二极管结构,使得光生电子空穴对在低电场区产生,然后电子在电场作用下漂移进入AlN雪崩倍增区产生雪崩,由于AlN材料中电子的碰撞离化系数远远高于空穴,因此电子在该区域倍增,不仅能够产生足够的雪崩增益,而且使得雪崩过剩噪声降至最低。
附图说明
图1为本发明具有低噪声的AlGaN基雪崩光电二极管结构示意图;
图中:1.蓝宝石衬底;
2.缓冲层;
3.非故意掺杂Al0.45Ga0.55N层;
4.n型Al0.45Ga0.55N层;
5.n型欧姆接触电极;
6.倍增区非故意掺杂AlN层;
7.p型Al0.45Ga0.55N层;
8.吸收区弱p型Al0.45Ga0.55N层;
9.吸收区p型Al0.45Ga0.55N层;
10.GaN帽层;
11.钝化层;
12.p型欧姆接触电极。
具体实施方式
下面提供该探测器的具体实施例,并对本发明作进一步的说明。
1材料制备:
在双抛透明蓝宝石衬底(0001)上依次外延生长图1结构中的各层材料。
2材料清洗:
选择外延生长的AlGaN材料,依次采用三氯甲烷、乙醚、丙酮、酒精对其进行清洗,去除表面的油污与杂质,然后用去离子水冲洗干净,再用高纯氮气吹干。
3 p型欧姆接触电极制备:
在GaN帽层10上制备p型欧姆接触电极12,金属膜系为Ni/Au,厚度为30nm/30nm,并在空气氛围550℃下快速退火3分钟,以形成欧姆接触。
4刻蚀:
刻蚀采用ICP(感应耦合等离子体)刻蚀,分为两步:第一步刻蚀p电极外面的GaN帽层,只保留20nm;第二步将材料刻蚀至n型Al0.45Ga0.55N层4,过刻150nm,形成图1中的台面结构。
5 n型欧姆接触电极制备:
在n型Al0.45Ga0.55N层4上制备n型欧姆接触电极5,接触电极膜系为Ti/Al/Au,厚度为50nm/50nm/40nm,并在N2氛围750℃下快速热退火30秒,以形成欧姆接触。
6生长钝化层11,采用磁控溅射法生长SiO2,厚度250nm,并在p电极与n电极处开孔,使p欧姆接触电极12与n欧姆接触电极5暴露出来。
7对衬底进划片,封装,完成低噪声AlGaN基雪崩光电二极管器件的制备。
机译: 具有InAlAs / InGaAlAs雪崩倍增层的低噪声雪崩光电二极管
机译: 具有改善的光催化活性的碳材料基光催化剂的制备方法,通过前一种方法制备的光催化剂和包含前一种碳材料基光催化剂的过滤器
机译: 具有AlGaN波导/覆层的氮化物基激光二极管