具有内界面层与高介电常数介电层的半导体装置

摘要

具有内界面层与高介电常数介电层的半导体装置，具有半导体基板。硅锗层设置于半导体基板上。硅锗层具有第一硅锗比例。第一栅极结构设置于硅锗层上，以及第一栅极结构包括位于硅锗层上的内界面层。界面层具有第二硅锗比例，与硅锗层的第一硅锗比例基本上相同。第一栅极结构亦包括内界面层上的高介电常数介电层，以及高介电常数介电层上的第一栅极电极。