机译:应变对凝结生长具有纳米GexSi1-x层的SiO2 / GexSi1-x / SiO2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:应变对凝结生长具有纳米厚度Ge_xSi_(1-x)层的SiO_2 / Ge_xSi_(1-x)/ SiO_2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:缩合生长(100)Si / SiO2 / Si1-xGex / SiO2异质结构中Ge Pb1悬空键缺陷的电子自旋共振特征
机译:通过正电子an没光谱研究了GePb1的电荷跃迁能级位于SiO2 / GexSi1-x / SiO2异质结构的界面
机译:Si / SiO2和Si(100)/ HFO2结构中的电气活跃接口缺陷
机译:正电子an没螺旋钻电子光谱在砷化镓上生长的界面缺陷和超薄铝膜的稳定性测量中的应用(100)
机译:外延原位SiO2钝化(100)利用TaSiOx原子层沉积工艺制备和(110)InGaAs
机译:通过正电子an没光谱研究了GePb1的电荷跃迁能级位于SiO2 / GexSi1-x / SiO2异质结构的界面
机译:在siO2 / si(100)界面上的氢活化/钝化的慢正电子研究。