机译:在蓝宝石衬底上具有最大振荡频率超过120 GHz的栅极嵌入式AlGaN / GaN MOSHEMT
机译:翅片纳米纳米阵列栅极凹陷AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:使用AlN / SiN作为钝化层和栅后凹槽沟道保护层,具有提高的沟道迁移率和动态性能的栅凹槽常关GaN MOSHEMT
机译:凹槽长度对栅极凹槽AlGan / GaN GaN Hemts的直流和RF性能的影响
机译:Algan / Gan MoShemts诱捕效应研究
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:多通道三门正常开/关AlGaN / GaN MOSHEMTS在SI基板上具有高击穿电压和低电阻低