National University of Singapore (Singapore).;
机译:短期直流偏置引起的应力对以液相沉积$ hbox {Al} _ {2} hbox {O} _ {3} $作为栅介质的n-GaN / AlGaN / GaN MOSHEMT的影响
机译:用于生物传感应用的介电调制常数AlGaN / GaN MOSHEMT:分析模拟研究和敏感性分析
机译:通过在Si上进行Al_2O_3 / GaN / AlGaN / GaN MOSHEMT的后金属化退火来减少关态漏极泄漏
机译:凹栅常关AlGaN / GaN基MOSHEMT中陷阱的描述及陷阱相关的影响
机译:跨剖面AlGaN / GaN设备中陷阱的扫描探针光谱
机译:氧等离子体处理对采用PECVD SiO2栅极绝缘体的原位SiN / AlGaN / GaN MOSHEMT的影响
机译:藻类/甘氨酸诱集作用的研究