Field effect transistors ; Simulation ; Microwaves ; Semiconductor devices ; Signal processing ; Electronics;
机译:勘误表“石墨烯场效应晶体管的大信号模型-第一部分:GFET本征电容的紧凑模型” [2936年7月16日]
机译:石墨烯场效应晶体管的大信号模型-第一部分:GFET本征电容的紧凑模型
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:基于还原氧化石墨烯(RGO-FET)的场效应晶体管的设计与制造
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:石墨烯场效应晶体管的大信号模型。第一部分:GFET本征电容的紧凑模型