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机译:III族氮化物材料的最新发展
MULTIPLE-QUANTUM WELLS; LIGHT-EMITTING-DIODES; OPTICAL-PROPERTIES; RADIATIVE RECOMBINATION; EMISSION PROPERTIES; AL(X)GA1-XN ALLOYS; HOMOEPITAXIAL GAN; INDIUM NITRIDE; BAND-GAP; PHOTOLUMINESCENCE;
机译:III族氮化物材料的最新发展
机译:通过血浆辅助分子束外延监测III族氮化物材料的生长,采用Reweed的漫射散射
机译:非理想III-氮化物材料的晶格性能优化价力场模型
机译:III-氮化物在铌酸锂上生长:III-氮化物杂藻的极性工程新的基材材料
机译:分子束外延生长的III氮化物材料,用于高功率和高温应用:成核动力学对材料和器件结构质量的影响。
机译:位移Talbot光刻技术用于III族氮化物材料的纳米工程
机译:纤锌矿材料中极化常数的正确实现及其对III氮化物的影响
机译:用于红外应用的III族氮化物材料的开发;最终的评论。 2004年7月1日至2008年11月29日