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机译:通过MOVPE控制在条纹图案的GaAs(001)衬底上横向过度生长的c-GaN和h-GaN的结构转变
VAPOR-PHASE EPITAXY; CUBIC-GAN; SELECTIVE GROWTH; GAAS(100); DENSITY; FILMS;
机译:通过MOVPE控制在条纹图案的GaAs(001)衬底上横向过度生长的c-GaN和h-GaN的结构转变
机译:MOVPE在GaAs(001)衬底上生长的InGaAsP混溶间隙固溶体的光学和结构性质
机译:通过原子力显微镜局部氧化纳米光刻技术在GaAs(001)图案化衬底上生长的InAs量子点的定点横向排列
机译:RF-MBE对(001)GaAs衬底生长的C-GaAs底层果皮中H-GaN结构域的影响
机译:氮化镓外延和器件的替代衬底:横向长满的氮化镓和硅(111)。
机译:反射差光谱法观察(001)InGaAs / GaAs单量子阱中的强各向异性禁跃及其在单轴应变下的行为
机译:(100)Gaas衬底上外延过度生长的Inas的微结构
机译:金属有机化学气相沉积法横向外延生长的GaN非平面衬底的三维微观结构表征