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Nanoscale, catalytically enhanced local oxidation of silicon-containing layers by 'burrowing' Ge quantum dots

机译:通过“挖洞” Ge量子点,对含硅层进行纳米级催化增强的局部氧化

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摘要

A new phenomenon of highly localized, nanoscale oxidation of silicon-containing layers has been observed. The localized oxidation enhancement observed in both Si and Si_3N_4 layers appears to be catalyzed by the migration of Ge quantum dots (QDs). The sizes, morphology, and distribution of the Ge QDs are influenced by the oxidation of the Si-bearing layers. A two-step mechanism of dissolution of Si within the Ge QDs prior to oxidation is proposed.
机译:已经观察到一种高度局部化的,含硅层的纳米级氧化的新现象。在Si和Si_3N_4层中都观察到的局部氧化增强似乎是由Ge量子点(QDs)的迁移催化的。 Ge量子点的尺寸,形态和分布受含硅层氧化的影响。提出了在氧化之前将硅溶解在锗量子点中的两步机制。

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