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机译:接触点上的电荷转移和部分钉扎是基于石墨烯的场效应晶体管转移特性两次下降的根源
机译:接触点上的电荷转移和部分钉扎是基于石墨烯的场效应晶体管转移特性两次下降的根源
机译:通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱
机译:来自有机电荷转移复合物溶液的喷涂触点,用于有机场效应晶体管
机译:栅极/源极交叠的双栅极薄体隧穿场效应晶体管(TFET)的传输特性中出现驼峰现象
机译:使用场效应晶体管探测有机半导体/无机氧化物界面的电子,结构和电荷转移性质。
机译:通过电荷转移掺杂和接触工程改进了与p型MoS2晶体管的接触
机译:在基于石墨烯的场效应晶体管的转移特性中,电荷转移和部分固定为双倾角的起源