Multiband coupling and electronic structure of short-period (GaAs)_N/(AlAs)_N (001) superlattices

G F Glinskii; V A Lakisov

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【24h】

Multiband coupling and electronic structure of short-period (GaAs)_N/(AlAs)_N (001) superlattices

机译：短周期（GaAs）_N /（AlAs）_N（001）超晶格的多带耦合和电子结构

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It is shown that the effective mass approximation together with interface short-range corrections can be used to calculate short-period abrupt (GaAs)_N/(AlAs)_N (001) superlattices. The results obtained are in excellent agreement with the results of pseudopotential calculations in a wide range of superlattice periods (from N=1 to 20).

机译：结果表明，有效质量近似和界面短程校正可用于计算短周期突变（GaAs）_N /（AlAs）_N（001）超晶格。所获得的结果与在宽范围的超晶格周期（从N = 1到20）中的伪电势计算结果非常吻合。

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来源
《Nanotechnology》 |2000年第4期|共4页
作者
G F Glinskii; V A Lakisov;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般工业技术;
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Multiband coupling and electronic structure of short-period (GaAs)_N/(AlAs)_N (001) superlattices

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