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机译:低栅极应力下高稳定非晶硅薄膜晶体管的可靠性 - 第一部分:寿命预测的两阶段模型
Princeton Univ Dept Elect Engn Princeton NJ 08544 USA;
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Two-stage model; a-Si TFTs; unified stretched exponential; stability; defect creation and charge trapping;
机译:低栅极应力下高稳定非晶硅薄膜晶体管的可靠性 - 第一部分:寿命预测的两阶段模型
机译:低栅场应力下高稳定度的非晶硅薄膜晶体管的可靠性-第一部分:寿命预测的两阶段模型
机译:低栅极应力下高稳定非晶硅薄膜晶体管的可靠性 - 第II部分:制造条件的优化和栅极电压依赖性
机译:低栅极场下高稳定性非晶硅薄膜晶体管寿命预测的两阶段模型
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机译:通过VHF-pECVD和热线CVD沉积的非晶硅薄膜晶体管
机译:稳定,高效的非晶硅太阳能电池,氢含量低。最终分包合同报告,1991年3月1日至1993年3月31日。