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机译:合成单层MOS2器件的低变异性
Stanford Univ Dept Elect Engn Stanford CA 94305 USA;
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MoS2; chemical vapor deposition; variability; mobility; threshold voltage; band offsets;
机译:合成单层MOS2器件的低变异性
机译:用于高性能光电器件的单层MOS2薄膜的晶圆级替代掺杂
机译:单层MoS2 / WSe2垂直异质结光电转换器件的光电研究
机译:模拟单层MOS2晶体管,具有记录高内在增益(> 100 dB)和源工程的超低饱和电压(<0.1V)
机译:朝向低温固体源合成单层钼二硫化物和低电阻触点到二硫化二硫化钼的装置
机译:局部氦离子辐射对合成单层MOS2场效应晶体管性能的影响
机译:单层富有的2D WS2和MOS2器件中的低功耗非易失性存储器切换
机译:用于射频应用的低功耗单层mos2晶体管。