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机译:1T-TAS2 / 2H-MOS2 T型连接中具有高峰值电流密度的栅极和可光调负差分电阻
Indian Inst Sci Dept Elect Commun Engn Bangalore 560012 Karnataka India;
Indian Inst Sci Dept Elect Commun Engn Bangalore 560012 Karnataka India;
1T-TaS2; MoS2; charge density wave; van der Waals heterojunction; negative differential resistance; peak-to-valley current ratio; photogating;
机译:1T-TAS2 / 2H-MOS2 T型连接中具有高峰值电流密度的栅极和可光调负差分电阻
机译:多个负差分电阻器件,具有超高的峰谷电流比,适用于实际的多值逻辑和存储器应用
机译:多峰负差分电阻电路的可调电流电压特性和滞后现象的研究
机译:基于硅纳米线结构的具有超高峰谷电流比的负差分电阻器件
机译:电解质负微分电阻,纳米孔中的纳米粒子动力学以及纳米电极处的纳米气泡生成。
机译:负差分电阻:基于铪二硫键/五苯杂交结构的双负差分电阻装置(ADV。SCI。19/2020)
机译:具有高峰值电流密度的栅极和可光调负差分电阻在1T-TAS2 / 2H-MOS2 T-Anction中