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机译:从电化学电池注入旋转偏振电子进入AlGaN / GaN装置:用于极长的旋转寿命的证据
Weizmann Inst Sci Dept Chem &
Biol Phys IL-76100 Rehovot Israel;
Weizmann Inst Sci Dept Chem &
Biol Phys IL-76100 Rehovot Israel;
Univ Modena &
Reggio Emilia Dept Engn Enzo Ferrari Via Vivarelli 10 I-41125 Modena Italy;
Weizmann Inst Sci Dept Chem Res Support IL-76100 Rehovot Israel;
Weizmann Inst Sci Dept Chem &
Biol Phys IL-76100 Rehovot Israel;
chirality; interface; two-dimensional electron gas; microwave; electrochemistry;
机译:从电化学电池注入旋转偏振电子进入AlGaN / GaN装置:用于极长的旋转寿命的证据
机译:X射线光电子能谱研究通过在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上的AlGaN和肖特基栅极之间插入薄Al层来改善器件性能的起源
机译:用于GaN基光电器件的双AlGaN / GaN分布式布拉格反射器堆叠镜的设计与制造
机译:在
机译:将砷化锰触点中的自旋极化电子有效注入砷化铝镓/砷化镓自旋LED中。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:基于AlGaN / GaN的HEMT中二维电子的面内有效质量和量子寿命的确定