...
机译:低压背压大气压化学气相沉积石墨烯条纹沟道晶体管,具有高κ介电常数,室温迁移率> 11000 cm〜2 / V·s
Al_2O _3; back-gate; graphene; high-κ; mobility; striped channel;
机译:低压背压大气压化学气相沉积石墨烯条纹沟道晶体管,具有高κ介电常数,室温迁移率> 11000 cm〜2 / V·s
机译:通过原子层沉积法生长的具有高κHfO_2栅极电介质的低压溶液处理n沟道有机场效应晶体管
机译:具有通过低压快速热化学气相沉积形成的氮氧化物栅极电介质的n沟道和p沟道MOSFET的迁移行为
机译:激光化学气相沉积法制备背栅SWNT场效应晶体管
机译:通过金属有机化学气相沉积生长氮极氮化镓基材料和高电子迁移率晶体管。
机译:高迁移率和空气稳定的单层WS2场效应晶体管夹在化学气相沉积生长的六角形BN膜之间
机译:溶液沉积大气压形成的具有铟镓锌氧化物通道和氧化铝栅介质叠层的薄膜晶体管的电性能
机译:基于等离子体增强化学气相沉积的Ge / Gaas HmT(高迁移率晶体管)技术的发展。 1989年1月1日至3月31日。