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机译:通过控制n型和p型掺杂延长了GaAs纳米线的光电导寿命
GaAs; n-type doping; p-type doping; terahertz spectroscopy; photoconductivity; mobility; carrier lifetime; surface states; surface recombination; nanowires;
机译:通过控制n型和p型掺杂延长了GaAs纳米线的光电导寿命
机译:气液固生长过程中GaAs纳米线的可控p型掺杂
机译:Co掺杂非晶碳与GaAs之间的接触和光电导特性:n型低电阻率和半绝缘高电阻率GaAs
机译:通过n型和p型壳层掺杂延长了GaAs纳米线的光电导寿命
机译:磷掺杂的n型和氢掺杂的p型CVD金刚石薄膜的光电研究。
机译:在n型GaAs(111)B衬底上生长的p掺杂GaAs纳米线阵列的光伏性能
机译:通过控制n型和p型掺杂可以延长GaAs纳米线的光电导寿命。