机译:在6H-SiC(0001)上自底向上生长外延石墨烯
Bottom-up growth; Epitaxial graphene; Interfacial graphene; Scanning tunneling microscopy; Silicon carbide;
机译:在6H-SiC(0001)上自底向上生长外延石墨烯
机译:6H-SiC(0001)邻近表面上外延石墨烯的生长机理:扫描隧道显微镜研究
机译:通过热退火在6H-SiC(0001)上外延生长石墨烯
机译:通过限制控制升华的碳化硅(0001)衬底上的外延石墨烯生长
机译:2-D电子材料:6h-碳化硅上石墨烯的外延生长(0001)
机译:氢气下生长后退火在4H-SiC(0001)上外延石墨烯中的高电子迁移率
机译:外延石墨烯在邻近6H-siC(0001)表面上的生长机制