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机译:高度稳定的双栅极MoS2晶体管,由六方氮化硼封装,具有可控制栅极的接触,电阻和阈值电压
two-dimensional materials; MoS2; hexagonal boron nitride; graphene; van der Waals heterostructure; contact resistance; threshold voltage;
机译:高度稳定的双栅极MoS2晶体管,由六方氮化硼封装,具有可控制栅极的接触,电阻和阈值电压
机译:六角形氮化物包封对几层MOS2电子结构的影响
机译:基于氮化硼介电封装和边缘接触的自对准短沟道石墨烯场效应晶体管的特性
机译:化学掺杂用于阈值控制和降低石墨烯和MoS2场效应晶体管的接触电阻
机译:在六方氮化硼上实现高质量MoS2器件的欧姆接触。
机译:界面设计的MoS2 / GaAs异质结构太阳能电池具有夹层堆叠的六方氮化硼
机译:硼空位:促进六边形氮化物纳米片中的氧还原反应的策略在HBN-MOS2异质结构中
机译:石墨烯场效应晶体管(GFET)对六方氮化硼(hBN)的辐射效应。