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Electronic structure and carrier mobility in graphdiyne sheet and nanoribbons: Theoretical predictions

机译:石墨二炔片和纳米带中的电子结构和载流子迁移率:理论预测

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摘要

Using density functional theory coupled with Boltzmann transport equation with relaxation time approximation, we investigate the electronic structure and predict the charge mobility for a new carbon allotrope, the graphdiyne for both the sheet and nanoribbons. It is shown that the graphdiyne sheet is a semiconductor with a band gap of 0.46 eV. The calculated in-plane intrinsic electron mobility can reach the order of 10~5 cm~2/(V s) at room temperature, while the hole mobility is about an order of magnitude lower.
机译:使用密度泛函理论,结合玻尔兹曼输运方程和弛豫时间近似,我们研究了电子结构并预测了新型碳同素异形体(片状和纳米带的石墨二炔)的电荷迁移率。结果表明,石墨二炔片是带隙为0.46eV的半导体。在室温下,计算出的平面内本征电子迁移率可以达到10〜5 cm〜2 /(V s)的数量级,而空穴迁移率大约要低一个数量级。

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