机译:接触对背栅单层MoS2场效应晶体管工作和性能的影响
2D semiconductor; contact; current saturation; field-effect transistor; molybdenum disulfide; Schottky barrier; transition metal dichalcogenides;
机译:接触对背栅单层MoS2场效应晶体管工作和性能的影响
机译:大面积单层MoS2的化学气相沉积生长及相关背栅晶体管的制造
机译:工作功能在二维MOS2场效应晶体管中调整,具有石墨烯和钛源 - 漏极触点
机译:5 nm以下单层MoS2 FET的n-p型操作Si-TMD接触和界面势垒减小的数值研究
机译:使用2D半导体层间改进MOS2晶体管中的触点和装置性能
机译:带有石墨烯和钛源极-漏极触点的二维MoS2场效应晶体管的功函数调整
机译:SI-TMD与N / P型操作接触的数值研究和SUS-5 NM MOLAILATER MOS2 FET的界面屏障减少