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机译:形状编程的纳米加工:了解二卤化碳前体的反应性
anisotropic structures; bond dissociation energies; dichalcogenide precursors; morphology control; selective growth;
机译:形状编程的纳米加工:了解二卤化碳前体的反应性
机译:(CE:INF PLACE =“POST”> 2 CE:INF> O
机译:负离子的形成和衰减最高可达11eV,高于纳米制作前体HFECO3(CO)(12)的电离能量
机译:AFM尖端介导的(生物)反应性聚合物平台的纳米制剂:朝向单一树枝状聚合物分子沉积到反应膜上。
机译:I.走向不闪烁的坚固的Vis和NIR活性荧光团:厚壳CdSe / nCdS和Ge / nCdS(n> 10)纳米晶体的受控制备和应用II。形状编程的纳米加工:了解二卤化碳前体的反应性。
机译:负离子状态的形成和衰减最高达纳米制造前体HFeCo3(CO)12的电离能以上的11 eV
机译:I.迈向不闪烁的可见光和NIR活性荧光团:厚壳CdSe / nCdS和Ge / nCdS(n \ u3e10)纳米晶体的受控制备和应用II。形状程序化的纳米加工:了解硫族硫化物前体的反应性