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机译:低剂量电子束暴露在超薄MoS2晶体管中引起的纳米级势垒形成。
molybdenum disulfide; field effect transistors; electron beam exposure; scanning probe microscopy; bandgap modification; potential barrier; first-principles calculations;
机译:低剂量电子束暴露在超薄MoS2晶体管中引起的纳米级势垒形成。
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机译:自组装单分子膜在MoS2场效应晶体管中用于选择性去除金属和超薄栅极电介质的用途
机译:低剂量二恶英的暴露会导致小鼠恐惧状况的恶化
机译:摩擦诱导的散装纳米结构MOS2用于氢化反应的结构转变
机译:单层和多层MoS2场效应晶体管中的收缩形成
机译:来自Ulthathin MOS2晶体管的真空计