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机译:SiO2和ZrO2基板上的化学气相沉积MOS2场效应晶体管的研究
Sun Yat Sen Univ Sun Yat Sen Univ Carnegie Mellon Univ Joint Inst Sch Elect &
Informat Technol Guangzhou Guangdong Peoples R China;
Hong Kong Polytech Univ Dept Appl Phys Kowloon Hong Kong Peoples R China;
Sun Yat Sen Univ Sun Yat Sen Univ Carnegie Mellon Univ Joint Inst Sch Elect &
Informat Technol Guangzhou Guangdong Peoples R China;
two dimensional materials; high-k dielectrics; MoS2; chemical vapor deposition;
机译:SiO2和ZrO2基板上的化学气相沉积MOS2场效应晶体管的研究
机译:SiO2和HBN基板上的HBN封装单MOS2薄片基场效应晶体管中捕获的电荷和滞后行为的比较
机译:SiO2和HBN基板上的HBN封装单MOS2薄片基场效应晶体管中捕获的电荷和滞后行为的比较
机译:通过基质预涂层基材的大气压MALDI高分辨率质谱法研究等离子体增强的化学气相沉积
机译:各种基板上石墨烯单层的光学和化学气相沉积。
机译:电荷捕获在MOS2-SiO2接口上的影响对MOS2场效应晶体管的亚阈值摆动的稳定性
机译:化学合成的单层MoS2 ᅠ场效应晶体管中生长衬底引起的性能下降