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机译:GaAs / InAs核心/壳纳米线中的各向异性相干性
Forschungszentrum Julich Peter Grunberg Inst PGI9 D-52425 Julich Germany;
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Julich Aachen Res Alliance JARA Fundamentals Future Informat Technol Aachen Germany;
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semiconductor nanowire; phase-coherent transport; electron interference; Aharonov-Bohm effect;
机译:GaAs / InAs核心/壳纳米线中的各向异性相干性
机译:GaAs / InAs核壳纳米线的分子束外延生长及InAs纳米管的制备
机译:GaAs-AlGaAs核壳纳米线超薄核中的晶相量子点
机译:超薄InAs / GaAs核/壳纳米线用于太阳能电池应用的密度功能理论研究
机译:通过分子束外延生长的GaAs / Gaassb(N)核心壳纳米线的带隙调谐
机译:InAs纳米线核周围的纤锌矿结构GaAs壳的演变
机译:围绕InAs纳米线核的纤锌矿结构GaAs壳的演变
机译:用分子束外延生长Gaas / Gaassb核壳纳米线的带隙调谐。