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机译:PT / CEO2 / PT结构中具有强大模拟膜断开的人工突触特性
Myongji Univ Dept Mat Sci &
Engn Gyeonggi Do 17058 South Korea;
Myongji Univ Dept Mat Sci &
Engn Gyeonggi Do 17058 South Korea;
Myongji Univ Dept Mat Sci &
Engn Gyeonggi Do 17058 South Korea;
Myongji Univ Dept Mat Sci &
Engn Gyeonggi Do 17058 South Korea;
Myongji Univ Dept Phys Gyeonggi Do 17058 South Korea;
Kookmin Univ Sch Elect Engn Seoul 02707 South Korea;
Kookmin Univ Sch Elect Engn Seoul 02707 South Korea;
Myongji Univ Dept Mat Sci &
Engn Gyeonggi Do 17058 South Korea;
artificial synapse; memristive device; analog resistance change; CeO2;
机译:PT / CEO2 / PT结构中具有强大模拟膜断开的人工突触特性
机译:ZrO_2 / ZTO双层椎间膜膜装置中可控模拟电阻切换和突触特性进行神经形式系统
机译:通过调整阈值和双极切换效果将人工神经元和基于SiO2的忆阻器件的突触特性
机译:模拟突触设备应用中基于HfOx的忆阻器件的逐步电导开关行为的整体限制效应
机译:双异质结构光电开关(DOES)分析及其在光子模数转换中的应用。
机译:Ag / SiOx:Ag / TiOx / p ++-Si忆阻器的模拟开关和人工突触行为
机译:具有模拟,线性,对称和长期稳定突触重量调制的PT / ITO / CEO2 / PT忆阻器
机译:Nd(3 +):YaG激光器的高重复率电光Q开关显示出强的光学双折射